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ROHM BSM600C12P3G201 N-Kanal, Schraub MOSFET 1200 V / 576 A Einschub


Menge:  Packung  
Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     3794E-2461528
Hersteller:
     ROHM Semiconductor
Herst.-Nr.:
     BSM600C12P3G201
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
rohm mosfet
mosfet
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 576 A
Drain-Source-Spannung max. = 1200 V
Gehäusegröße = Einschub
Montage-Typ = Schraubmontage
Weitere Informationen:
Channel-Typ:
N
Dauer-Drainstrom max.:
576 A
Drain-Source-Spannung max.:
1200 V
Gehäusegröße:
Einschub
Montage-Typ:
Schraubmontage
Weitere Suchbegriffe: 2461528, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, ROHM, BSM600C12P3G201, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs
Die Konditionen im Überblick1
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