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onsemi NXH010P120MNF1PTG, THT SiC-Leistungsmodul 1200 V / 114 A F1-2PACK


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Produktbild
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Artikel-Nr.:
     3794E-2485824
Hersteller:
     onsemi
Herst.-Nr.:
     NXH010P120MNF1PTG
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
2485824
Halbleiter
Diskrete Halbleiter
MOSFET
Dauer-Drainstrom max. = 114 A
Drain-Source-Spannung max. = 1200 V
Gehäusegröße = F1-2PACK
Montage-Typ = THT
Weitere Informationen:
Dauer-Drainstrom max.:
114 A
Drain-Source-Spannung max.:
1200 V
Gehäusegröße:
F1-2PACK
Montage-Typ:
THT
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