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Infineon IGBT-Modul / 900 A ±20V max. Dual, 1700 V 20 mW


Menge:  Stück  
Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     3794E-2500226
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     FF900R17ME7B11BPSA1
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
IGBT Module
Schalttransistor
Transistor
igbt module infineon
Dauer-Kollektorstrom max. = 900 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 1700 V
Gate-Source Spannung max. = ±20V
Verlustleistung max. = 20 mW
Weitere Informationen:
Dauer-Kollektorstrom max.:
900 A
Kollektor-Emitter-Spannung:
1700 V
Gate-Source Spannung max.:
±20V
Verlustleistung max.:
20 mW
Weitere Suchbegriffe: igbt module, 2500226, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, IGBT, Infineon, FF900R17ME7B11BPSA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs
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