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| Artikel-Nr.: 3794E-2520263 Herst.-Nr.: SIHK055N60EF-T1GE3 EAN/GTIN: k.A. |
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![](/p.gif) | Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 40 A Drain-Source-Spannung max. = 600 V Gehäusegröße = PowerPAK 10 x 12 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8 Anzahl der Elemente pro Chip = 1 Weitere Informationen: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 40 A | Drain-Source-Spannung max.: | 600 V | Gehäusegröße: | PowerPAK 10 x 12 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 8 | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 |
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![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: SMD-Diode, SMD-Transistor, Schalttransistor, Transistor, vishay diode, smd diode, 40a mosfet, 2520263, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, SIHK055N60EFT1GE3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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