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Vishay SQS180ELNW-T1_GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 141 A, 8-Pin PowerPAK 1212-8


Menge:  Packung  
Produktinformationen
Produktbild
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Artikel-Nr.:
     3794E-2520323
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     SQS180ELNW-T1_GE3
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet vishay
mosfet
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 141 A
Drain-Source-Spannung max. = 80 V
Gehäusegröße = PowerPAK 1212-8
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 8
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Weitere Informationen:
Channel-Typ:
N
Dauer-Drainstrom max.:
141 A
Drain-Source-Spannung max.:
80 V
Gehäusegröße:
PowerPAK 1212-8
Montage-Typ:
SMD
Pinanzahl:
8
Anzahl der Elemente pro Chip:
1
Weitere Suchbegriffe: 2520323, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, SQS180ELNWT1_GE3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs
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