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| Artikel-Nr.: 3794E-2533504 Herst.-Nr.: BIDW20N60T EAN/GTIN: k.A. |
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![](/p.gif) | Dauer-Kollektorstrom max. = 20 A Kollektor-Emitter-Spannung = 600 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 192 W Gehäusegröße = TO-247 Weitere Informationen: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Dauer-Kollektorstrom max.: | 20 A | Kollektor-Emitter-Spannung: | 600 V | Gate-Source Spannung max.: | ±20V | Verlustleistung max.: | 192 W | Gehäusegröße: | TO-247 |
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![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: igbt, 2533504, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Bourns, BIDW20N60T, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs |
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