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Vishay SIRA12DP-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 25 A PowerPAK SO-8


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Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
     3794E-2567430
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     SIRA12DP-T1-GE3
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
Leistungs-MOSFET
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 25 A
Drain-Source-Spannung max. = 30 V
Gehäusegröße = PowerPAK SO-8
Montage-Typ = SMD
Weitere Informationen:
Channel-Typ:
N
Dauer-Drainstrom max.:
25 A
Drain-Source-Spannung max.:
30 V
Gehäusegröße:
PowerPAK SO-8
Montage-Typ:
SMD
Weitere Suchbegriffe: Schalttransistor, Transistor, mosfet vishay, smd transistor, 2567430, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, SIRA12DPT1GE3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs
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