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| Artikel-Nr.: 3794E-2581013 Herst.-Nr.: IKW30N65ET7XKSA1 EAN/GTIN: k.A. |
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![](/p.gif) | Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Gehäusegröße = PG-TO247-3 Weitere Informationen: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Kollektor-Emitter-Spannung: | 650 V | Gate-Source Spannung max.: | ±20V | Gehäusegröße: | PG-TO247-3 |
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![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: igbt, 2581013, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IKW30N65ET7XKSA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs |
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