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Infineon IPBE65R050CFD7AATMA1, SMD MOSFET 650 V / 211 A PG-TO263


Menge:  Stück  
Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     3794E-2583826
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     IPBE65R050CFD7AATMA1
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet infineon
mosfet
Dauer-Drainstrom max. = 211 A
Drain-Source-Spannung max. = 650 V
Gehäusegröße = PG-TO263
Montage-Typ = SMD
Weitere Informationen:
Dauer-Drainstrom max.:
211 A
Drain-Source-Spannung max.:
650 V
Gehäusegröße:
PG-TO263
Montage-Typ:
SMD
Weitere Suchbegriffe: 2583826, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IPBE65R050CFD7AATMA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs
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