| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Artikel-Nr.: 3794E-2592655 Herst.-Nr.: IPT022N10NF2SATMA1 EAN/GTIN: k.A. |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 236 A Drain-Source-Spannung max. = 100 V Gehäusegröße = PG-HSOF-8 Montage-Typ = SMD Weitere Informationen: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 236 A | Drain-Source-Spannung max.: | 100 V | Gehäusegröße: | PG-HSOF-8 | Montage-Typ: | SMD |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: Transistor, mosfet infineon, smd transistor, 2592655, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IPT022N10NF2SATMA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |