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| Artikel-Nr.: 3794E-2663851 Herst.-Nr.: RD3R02BBHTL1 EAN/GTIN: k.A. |
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![](/p.gif) | Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 50 A Drain-Source-Spannung max. = 6 V Gehäusegröße = TO-252 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Channel-Modus = Enhancement Anzahl der Elemente pro Chip = 1 Weitere Informationen: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 50 A | Drain-Source-Spannung max.: | 6 V | Gehäusegröße: | TO-252 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Channel-Modus: | Enhancement | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 |
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![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: rohm mosfet, 2663851, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, ROHM, RD3R02BBHTL1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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