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| Artikel-Nr.: 3794E-2688347 Herst.-Nr.: SISS5708DN-T1-GE3 EAN/GTIN: k.A. |
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![](/p.gif) | Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 33,8 A Drain-Source-Spannung max. = 150 V Gehäusegröße = PowerPAK 1212-8S Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8 Channel-Modus = Enhancement Anzahl der Elemente pro Chip = 2 Weitere Informationen: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 33,8 A | Drain-Source-Spannung max.: | 150 V | Gehäusegröße: | PowerPAK 1212-8S | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 8 | Channel-Modus: | Enhancement | Anzahl der Elemente pro Chip: | 2 |
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![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: 2688347, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, SISS5708DNT1GE3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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