| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Artikel-Nr.: 3794E-2688367 Herst.-Nr.: SQJQ936E-T1_GE3 EAN/GTIN: k.A. |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Channel-Typ = Dual N Dauer-Drainstrom max. = 100 A Drain-Source-Spannung max. = 40 V Gehäusegröße = PowerPAK 8 x 8 l Montage-Typ = PCB-Montage Pinanzahl = 4 Channel-Modus = Enhancement Anzahl der Elemente pro Chip = 4 Weitere Informationen: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Channel-Typ: | Dual N | Dauer-Drainstrom max.: | 100 A | Drain-Source-Spannung max.: | 40 V | Gehäusegröße: | PowerPAK 8 x 8 l | Montage-Typ: | PCB-Montage | Pinanzahl: | 4 | Channel-Modus: | Enhancement | Anzahl der Elemente pro Chip: | 4 |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: mosfet 100a, 2688367, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, SQJQ936ET1_GE3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |