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| Artikel-Nr.: 3794E-2732767 Herst.-Nr.: IMBG120R045M1HXTMA1 EAN/GTIN: k.A. |
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![](/p.gif) | Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 47 A Drain-Source-Spannung max. = 1200 V Gehäusegröße = TO-263 Montage-Typ = THT Pinanzahl = 7 Channel-Modus = Enhancement Anzahl der Elemente pro Chip = 1 Weitere Informationen: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 47 A | Drain-Source-Spannung max.: | 1200 V | Gehäusegröße: | TO-263 | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 7 | Channel-Modus: | Enhancement | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 |
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![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: mosfet to-263, 2732767, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IMBG120R045M1HXTMA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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