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Infineon IGBT / 75 A ±20V max. 6-fach, 1200 V 280 W, 28-Pin N-Kanal


Menge:  Stück  
Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
     3794E-2732929
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     FS50R12KT3BPSA1
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
IGBT
Schalttransistor
Transistor
igbt infineon
Dauer-Kollektorstrom max. = 75 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V
Gate-Source Spannung max. = ±20V
Anzahl an Transistoren = 6
Konfiguration = Common Emitter
Montage-Typ = Tafelmontage
Channel-Typ = N
Pinanzahl = 28
Weitere Informationen:
Dauer-Kollektorstrom max.:
75 A
Kollektor-Emitter-Spannung:
1200 V
Gate-Source Spannung max.:
±20V
Anzahl an Transistoren:
6
Konfiguration:
Common Emitter
Montage-Typ:
Tafelmontage
Channel-Typ:
N
Pinanzahl:
28
Weitere Suchbegriffe: igbt, 2732929, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, FS50R12KT3BPSA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs
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