| |
|
| Artikel-Nr.: 3794E-2732979 Herst.-Nr.: IKW50N120CH7XKSA1 EAN/GTIN: k.A. |
| |
|
| | |
| Dauer-Kollektorstrom max. = 50 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = ±20 V, ±30V Verlustleistung max. = 398 W Gehäusegröße = TO-247 Montage-Typ = THT Channel-Typ = N Pinanzahl = 3 Weitere Informationen: | | Dauer-Kollektorstrom max.: | 50 A | Kollektor-Emitter-Spannung: | 1200 V | Gate-Source Spannung max.: | ±20 V, ±30V | Verlustleistung max.: | 398 W | Gehäusegröße: | TO-247 | Montage-Typ: | THT | Channel-Typ: | N | Pinanzahl: | 3 |
|
| | |
| | | |
| Weitere Suchbegriffe: igbt, transistor to-247, 2732979, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IKW50N120CH7XKSA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs |
| | |
| |