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Infineon IGBT / 100 A ±20V max., 1200 V 515 W


Menge:  Stück  
Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
     3794E-2735347
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     IFS100B12N3E4B31BOSA1
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
IGBT
Schalttransistor
Transistor
igbt infineon
Dauer-Kollektorstrom max. = 100 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V
Gate-Source Spannung max. = ±20V
Verlustleistung max. = 515 W
Montage-Typ = Tafelmontage
Weitere Informationen:
Dauer-Kollektorstrom max.:
100 A
Kollektor-Emitter-Spannung:
1200 V
Gate-Source Spannung max.:
±20V
Verlustleistung max.:
515 W
Montage-Typ:
Tafelmontage
Weitere Suchbegriffe: igbt, 2735347, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IFS100B12N3E4B31BOSA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs
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