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Infineon IGBT / 40 A +/-20V max. , 600 V 170 W, 3-Pin PG-TO263-3


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Produktbild
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Artikel-Nr.:
     3794E-2737447
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     IKB20N60H3ATMA1
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
IGBT
Schalttransistor
Transistor
igbt infineon
Dauer-Kollektorstrom max. = 40 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 600 V
Gate-Source Spannung max. = +/-20V
Verlustleistung max. = 170 W
Gehäusegröße = PG-TO263-3
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Weitere Informationen:
Dauer-Kollektorstrom max.:
40 A
Kollektor-Emitter-Spannung:
600 V
Gate-Source Spannung max.:
+/-20V
Verlustleistung max.:
170 W
Gehäusegröße:
PG-TO263-3
Montage-Typ:
THT
Pinanzahl:
3
Weitere Suchbegriffe: igbt, 2737447, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IKB20N60H3ATMA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs
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