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Vishay SI1480BDH-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 1,9 A, 6-Pin SOT-363


Menge:  Packung  
Produktinformationen
Produktbild
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Artikel-Nr.:
     3794E-2799890
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     SI1480BDH-T1-GE3
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet vishay
mosfet
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 1,9 A
Drain-Source-Spannung max. = 100 V
Gehäusegröße = SOT-363
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 6
Channel-Modus = Enhancement
Transistor-Werkstoff = Silicon
Weitere Informationen:
Channel-Typ:
N
Dauer-Drainstrom max.:
1,9 A
Drain-Source-Spannung max.:
100 V
Gehäusegröße:
SOT-363
Montage-Typ:
SMD
Pinanzahl:
6
Channel-Modus:
Enhancement
Transistor-Werkstoff:
Silicon
Weitere Suchbegriffe: 2799890, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, SI1480BDHT1GE3
Die Konditionen im Überblick1
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