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| Artikel-Nr.: 3794E-2799890 Herst.-Nr.: SI1480BDH-T1-GE3 EAN/GTIN: k.A. |
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![](/p.gif) | Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 1,9 A Drain-Source-Spannung max. = 100 V Gehäusegröße = SOT-363 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 6 Channel-Modus = Enhancement Transistor-Werkstoff = Silicon Weitere Informationen: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 1,9 A | Drain-Source-Spannung max.: | 100 V | Gehäusegröße: | SOT-363 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 6 | Channel-Modus: | Enhancement | Transistor-Werkstoff: | Silicon |
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![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: 2799890, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, SI1480BDHT1GE3 |
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