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| Artikel-Nr.: 3794E-2799899 Herst.-Nr.: SIA112LDJ-T1-GE3 EAN/GTIN: k.A. |
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![](/p.gif) | Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 8,8 A Drain-Source-Spannung max. = 100 V Gehäusegröße = SC-70-6L Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 7 Channel-Modus = Enhancement Anzahl der Elemente pro Chip = 1 Weitere Informationen: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 8,8 A | Drain-Source-Spannung max.: | 100 V | Gehäusegröße: | SC-70-6L | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 7 | Channel-Modus: | Enhancement | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 |
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![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: smd transistor, 2799899, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, SIA112LDJT1GE3 |
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