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Vishay SIR5607DP-T1-RE3 P-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 90,9 A, 8-Pin SO-8


Menge:  Packung  
Produktinformationen
Produktbild
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Artikel-Nr.:
     3794E-2799950
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     SIR5607DP-T1-RE3
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet vishay
mosfet
Channel-Typ = P
Dauer-Drainstrom max. = 90,9 A
Drain-Source-Spannung max. = 60 V
Gehäusegröße = SO-8
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 8
Channel-Modus = Enhancement
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Weitere Informationen:
Channel-Typ:
P
Dauer-Drainstrom max.:
90,9 A
Drain-Source-Spannung max.:
60 V
Gehäusegröße:
SO-8
Montage-Typ:
SMD
Pinanzahl:
8
Channel-Modus:
Enhancement
Anzahl der Elemente pro Chip:
1
Weitere Suchbegriffe: 2799950, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, SIR5607DPT1RE3
Die Konditionen im Überblick1
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ab 500 Packungen
CHF 5’562.00*
CHF 6’012.522
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