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Vishay SISS5110DN-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 55,9 A, 8-Pin 1212-8S


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Produktbild
Produktbild
Artikel-Nr.:
     3794E-2799994
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     SISS5110DN-T1-GE3
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet vishay
mosfet
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 55,9 A
Drain-Source-Spannung max. = 100 V
Gehäusegröße = 1212-8S
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 8
Channel-Modus = Enhancement
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Weitere Informationen:
Channel-Typ:
N
Dauer-Drainstrom max.:
55,9 A
Drain-Source-Spannung max.:
100 V
Gehäusegröße:
1212-8S
Montage-Typ:
SMD
Pinanzahl:
8
Channel-Modus:
Enhancement
Anzahl der Elemente pro Chip:
1
Weitere Suchbegriffe: 2799994, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, SISS5110DNT1GE3
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