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Vishay SIZF4800LDT-T1-GE3 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 80 V / 36 A, 12-Pin 3 x 3FS


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Produktbild
Produktbild
Artikel-Nr.:
     3794E-2800006
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     SIZF4800LDT-T1-GE3
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet vishay
mosfet
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 36 A
Drain-Source-Spannung max. = 80 V
Gehäusegröße = 3 x 3FS
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 12
Channel-Modus = Enhancement
Anzahl der Elemente pro Chip = 2
Weitere Informationen:
Channel-Typ:
N
Dauer-Drainstrom max.:
36 A
Drain-Source-Spannung max.:
80 V
Gehäusegröße:
3 x 3FS
Montage-Typ:
SMD
Pinanzahl:
12
Channel-Modus:
Enhancement
Anzahl der Elemente pro Chip:
2
Weitere Suchbegriffe: 2800006, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, SIZF4800LDTT1GE3
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