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Vishay SQ2309CES-T1_GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 1,7 A, 3-Pin SOT-23


Menge:  Packung  
Produktinformationen
Produktbild
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Artikel-Nr.:
     3794E-2800007
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     SQ2309CES-T1_GE3
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet vishay
mosfet
Channel-Typ = P
Dauer-Drainstrom max. = 1,7 A
Drain-Source-Spannung max. = 60 V
Gehäusegröße = SOT-23
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Channel-Modus = Enhancement
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Weitere Informationen:
Channel-Typ:
P
Dauer-Drainstrom max.:
1,7 A
Drain-Source-Spannung max.:
60 V
Gehäusegröße:
SOT-23
Montage-Typ:
SMD
Pinanzahl:
3
Channel-Modus:
Enhancement
Anzahl der Elemente pro Chip:
1
Weitere Suchbegriffe: mosfet sot-23, 2800007, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, SQ2309CEST1_GE3
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