| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Artikel-Nr.: 3794E-2800009 Herst.-Nr.: SQ2348CES-T1_GE3 EAN/GTIN: k.A. |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 8 A Drain-Source-Spannung max. = 30 V Gehäusegröße = SOT-23 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Channel-Modus = Enhancement Anzahl der Elemente pro Chip = 1 Weitere Informationen: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 8 A | Drain-Source-Spannung max.: | 30 V | Gehäusegröße: | SOT-23 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Channel-Modus: | Enhancement | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: mosfet sot-23, 2800009, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, SQ2348CEST1_GE3 |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |