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Vishay SQJ162EP-T1_GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 166 A, 4-Pin SO-8L


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Produktbild
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Artikel-Nr.:
     3794E-2800019
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     SQJ162EP-T1_GE3
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet vishay
mosfet
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 166 A
Drain-Source-Spannung max. = 60 V
Gehäusegröße = SO-8L
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 4
Channel-Modus = Enhancement
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Weitere Informationen:
Channel-Typ:
N
Dauer-Drainstrom max.:
166 A
Drain-Source-Spannung max.:
60 V
Gehäusegröße:
SO-8L
Montage-Typ:
SMD
Pinanzahl:
4
Channel-Modus:
Enhancement
Anzahl der Elemente pro Chip:
1
Weitere Suchbegriffe: 2800019, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, SQJ162EPT1_GE3
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