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Vishay SQJ740EP-T1_GE3 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 40 V / 123 A, 4-Pin SO-8L


Menge:  Packung  
Produktinformationen
Produktbild
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Artikel-Nr.:
     3794E-2800020
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     SQJ740EP-T1_GE3
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet vishay
mosfet
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 123 A
Drain-Source-Spannung max. = 40 V
Gehäusegröße = SO-8L
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 4
Channel-Modus = Enhancement
Transistor-Werkstoff = Silicon
Weitere Informationen:
Channel-Typ:
N
Dauer-Drainstrom max.:
123 A
Drain-Source-Spannung max.:
40 V
Gehäusegröße:
SO-8L
Montage-Typ:
SMD
Pinanzahl:
4
Channel-Modus:
Enhancement
Transistor-Werkstoff:
Silicon
Weitere Suchbegriffe: 2800020, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, SQJ740EPT1_GE3
Die Konditionen im Überblick1
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ab 500 Packungen
CHF 4’505.13*
CHF 4’870.04553
pro Packung
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