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Vishay SQS181ELNW-T1_GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 44 A, 8-Pin 1212-8SLW


Menge:  Packung  
Produktinformationen
Produktbild
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Artikel-Nr.:
     3794E-2800031
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     SQS181ELNW-T1_GE3
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet vishay
mosfet
Channel-Typ = P
Dauer-Drainstrom max. = 44 A
Drain-Source-Spannung max. = 80 V
Gehäusegröße = 1212-8SLW
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 8
Channel-Modus = Enhancement
Transistor-Werkstoff = Silicon
Weitere Informationen:
Channel-Typ:
P
Dauer-Drainstrom max.:
44 A
Drain-Source-Spannung max.:
80 V
Gehäusegröße:
1212-8SLW
Montage-Typ:
SMD
Pinanzahl:
8
Channel-Modus:
Enhancement
Transistor-Werkstoff:
Silicon
Weitere Suchbegriffe: 2800031, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, SQS181ELNWT1_GE3
Die Konditionen im Überblick1
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CHF 2’522.43783
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