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onsemi IGBT / 150 A ±20V max., 1200 V 714 W, 3-Pin TO247-3LD N-Kanal


Menge:  Stück  
Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     3794E-2849002
Hersteller:
     onsemi
Herst.-Nr.:
     FGY75T120SWD
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
IGBT
Schalttransistor
Transistor
on semiconductor igbt
Dauer-Kollektorstrom max. = 150 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V
Gate-Source Spannung max. = ±20V
Verlustleistung max. = 714 W
Gehäusegröße = TO247-3LD
Montage-Typ = THT
Channel-Typ = N
Pinanzahl = 3
Weitere Informationen:
Dauer-Kollektorstrom max.:
150 A
Kollektor-Emitter-Spannung:
1200 V
Gate-Source Spannung max.:
±20V
Verlustleistung max.:
714 W
Gehäusegröße:
TO247-3LD
Montage-Typ:
THT
Channel-Typ:
N
Pinanzahl:
3
Weitere Suchbegriffe: igbt, 2849002, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, onsemi, FGY75T120SWD
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