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| Artikel-Nr.:
3794E-463622 Herst.-Nr.:
MJD45H11T4G EAN/GTIN:
5059042614169 |
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| Transistor-Typ = PNP
DC Kollektorstrom max. = -8 A
Kollektor-Emitter-Spannung = –80 V
Gehäusegröße = DPAK (TO-252)
Montage-Typ = SMD
Verlustleistung max. = 1,75 W
Gleichstromverstärkung min. = 60
Transistor-Konfiguration = Einfach
Basis-Emitter Spannung max. = 5 V
Arbeitsfrequenz max. = 90 MHz
Pinanzahl = 3
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Abmessungen = 2.38 x 6.73 x 6.22mm
Hersteller-Teilenummern mit NSV-Präfix sind gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassen. PNP-Leistungstransistoren, ON Semiconductor Weitere Informationen: | | Transistor-Typ: | PNP | DC Kollektorstrom max.: | -8 A | Kollektor-Emitter-Spannung: | –80 V | Gehäusegröße: | DPAK (TO-252) | Montage-Typ: | SMD | Verlustleistung max.: | 1,75 W | Gleichstromverstärkung min.: | 60 | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Basis-Emitter Spannung max.: | 5 V | Arbeitsfrequenz max.: | 90 MHz | Pinanzahl: | 3 | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Abmessungen: | 2.38 x 6.73 x 6.22mm |
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| Weitere Suchbegriffe: smd transistor, 463622, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Bipolare Transistoren, onsemi, MJD45H11T4G, Semiconductors, Discrete Semiconductors, Bipolar Transistors |
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