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| Artikel-Nr.: 3794E-485353 Herst.-Nr.: PBSS5160U,115 EAN/GTIN: 5059043054933 |
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![](/p.gif) | Transistor-Typ = PNP DC Kollektorstrom max. = -1 A Kollektor-Emitter-Spannung = –60 V Gehäusegröße = UMT Montage-Typ = SMD Verlustleistung max. = 415 mW Gleichstromverstärkung min. = 200 Transistor-Konfiguration = Einfach Kollektor-Basis-Spannung max. = 80 V Basis-Emitter Spannung max. = 5 V Arbeitsfrequenz max. = 185 MHz Pinanzahl = 3 Anzahl der Elemente pro Chip = 1 Abmessungen = 1 x 2.2 x 1.35mm
PNP-Transistoren mit niedriger Sättigung. Eine Serie von bipolaren NXP BISS (Breakthrough In Small Signal) Spannungs-PNP-Junction-Transistoren. Diese Bauelemente bieten sehr niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannungen und hohe Strombelastbarkeit am Kollektor in kompakten, platzsparenden Gehäusen. Die reduzierten Verluste dieser Transistoren führen zu einer verringerten Wärmeentwicklung und einer Steigerung der Gesamteffizienz bei Verwendung in Schalt- und Digitalanwendungen. Weitere Informationen: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Transistor-Typ: | PNP | DC Kollektorstrom max.: | -1 A | Kollektor-Emitter-Spannung: | –60 V | Gehäusegröße: | UMT | Montage-Typ: | SMD | Verlustleistung max.: | 415 mW | Gleichstromverstärkung min.: | 200 | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Kollektor-Basis-Spannung max.: | 80 V | Basis-Emitter Spannung max.: | 5 V | Arbeitsfrequenz max.: | 185 MHz | Pinanzahl: | 3 | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Abmessungen: | 1 x 2.2 x 1.35mm |
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![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: smd transistor, 485353, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Bipolare Transistoren, Nexperia, PBSS5160U,115, Semiconductors, Discrete Semiconductors, Bipolar Transistors |
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