|  |
| |
| Artikel-Nr.:
3794E-4857434 Herst.-Nr.:
STP11NK40Z EAN/GTIN:
5059042292411 |
| |
|
| | |
| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 9 A
Drain-Source-Spannung max. = 400 V
Serie = MDmesh, SuperMESH
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 550 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4.5V
Gate-Schwellenspannung min. = 3V
Verlustleistung max. = 110 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 32 nC @ 10 V
Höhe = 9.15mm
N-Kanal MDmesh™ SuperMESH™, 250 V bis 650 V, STMicroelectronics Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 9 A | Drain-Source-Spannung max.: | 400 V | Serie: | MDmesh, SuperMESH | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 550 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 4.5V | Gate-Schwellenspannung min.: | 3V | Verlustleistung max.: | 110 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -30 V, +30 V | Gate-Ladung typ. @ Vgs: | 32 nC @ 10 V | Höhe: | 9.15mm |
|
| | |
| | | |
| Weitere Suchbegriffe: 4857434, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, STMicroelectronics, STP11NK40Z, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
| | |
| |