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| Artikel-Nr.:
3794E-4860171 Herst.-Nr.:
IRF630 EAN/GTIN:
5059042349870 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 9 A
Drain-Source-Spannung max. = 200 V
Serie = STripFET
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 400 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 75 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 31 nC @ 10 V
Betriebstemperatur min. = -65 °C
N-Kanal STripFET™, STMicroelectronics Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 9 A | Drain-Source-Spannung max.: | 200 V | Serie: | STripFET | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 400 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 4V | Gate-Schwellenspannung min.: | 2V | Verlustleistung max.: | 75 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Gate-Ladung typ. @ Vgs: | 31 nC @ 10 V | Betriebstemperatur min.: | -65 °C |
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| Weitere Suchbegriffe: stm mosfet, mosfet, 4860171, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, STMicroelectronics, IRF630, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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