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| Artikel-Nr.: 3794E-4860171 Herst.-Nr.: IRF630 EAN/GTIN: 5059042349870 |
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![](/p.gif) | Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 9 A Drain-Source-Spannung max. = 200 V Serie = STripFET Montage-Typ = THT Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 400 mΩ Channel-Modus = Enhancement Gate-Schwellenspannung max. = 4V Gate-Schwellenspannung min. = 2V Verlustleistung max. = 75 W Transistor-Konfiguration = Einfach Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V Gate-Ladung typ. @ Vgs = 31 nC @ 10 V Betriebstemperatur min. = -65 °C
N-Kanal STripFET™, STMicroelectronics Weitere Informationen: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 9 A | Drain-Source-Spannung max.: | 200 V | Serie: | STripFET | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 400 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 4V | Gate-Schwellenspannung min.: | 2V | Verlustleistung max.: | 75 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Gate-Ladung typ. @ Vgs: | 31 nC @ 10 V | Betriebstemperatur min.: | -65 °C |
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![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: stm mosfet, mosfet, 4860171, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, STMicroelectronics, IRF630, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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