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| Artikel-Nr.: 3794E-4862385 Herst.-Nr.: STP9NK60Z EAN/GTIN: 5059042782172 |
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![](/p.gif) | Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 7 A Drain-Source-Spannung max. = 600 V Serie = MDmesh, SuperMESH Montage-Typ = THT Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 950 mΩ Channel-Modus = Enhancement Gate-Schwellenspannung max. = 4.5V Gate-Schwellenspannung min. = 3V Verlustleistung max. = 125 W Transistor-Konfiguration = Einfach Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V Gate-Ladung typ. @ Vgs = 38 nC @ 10 V Betriebstemperatur min. = -55 °C
N-Kanal MDmesh™ SuperMESH™, 250 V bis 650 V, STMicroelectronics Weitere Informationen: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 7 A | Drain-Source-Spannung max.: | 600 V | Serie: | MDmesh, SuperMESH | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 950 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 4.5V | Gate-Schwellenspannung min.: | 3V | Verlustleistung max.: | 125 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -30 V, +30 V | Gate-Ladung typ. @ Vgs: | 38 nC @ 10 V | Betriebstemperatur min.: | -55 °C |
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![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: 4862385, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, STMicroelectronics, STP9NK60Z, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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