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Semikron IGBT-Modul / 260 A ±20V max., 1700 V, 7-Pin SEMITRANS3 N-Kanal


Menge:  Stück  
Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
     3794E-5053217
Hersteller:
     Semikron
Herst.-Nr.:
     SKM200GB176D
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
IGBT Module
igbt module semikron
igbt module
Dauer-Kollektorstrom max. = 260 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 1700 V
Gate-Source Spannung max. = ±20V
Gehäusegröße = SEMITRANS3
Montage-Typ = Tafelmontage
Channel-Typ = N
Pinanzahl = 7
Transistor-Konfiguration = Serie
Abmessungen = 106.4 x 61.4 x 30mm
Betriebstemperatur min. = -40 °C

Duale IGBT-Module. Eine Serie von SEMITOP® IGBT-Modulen von Semikron einschließlich zwei in Reihe geschalteten IGBT-Geräten (Halbbrücke). Die Module sind in einem großen Spannungs- und Strombereich erhältlich und für eine Vielzahl von Leistungsschaltanwendungen wie AC-Wechselrichter-Motorantriebe und unterbrechungsfreie Stromversorgungen geeignet. Kompaktes SEMITOP®-Gehäuse Für Schaltfrequenzen bis zu 12 kHz geeignet Isolierte Kupfergrundplatte mit direkter Kupferverbindung
Weitere Informationen:
Dauer-Kollektorstrom max.:
260 A
Kollektor-Emitter-Spannung:
1700 V
Gate-Source Spannung max.:
±20V
Gehäusegröße:
SEMITRANS3
Montage-Typ:
Tafelmontage
Channel-Typ:
N
Pinanzahl:
7
Transistor-Konfiguration:
Serie
Abmessungen:
106.4 x 61.4 x 30mm
Betriebstemperatur min.:
-40 °C
Weitere Suchbegriffe: 5053217, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, IGBT, Semikron, SKM200GB176D, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs
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