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| Artikel-Nr.:
3794E-509273 Herst.-Nr.:
BSH105,215 EAN/GTIN:
5059043582627 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 1,05 A
Drain-Source-Spannung max. = 20 V
Gehäusegröße = SOT-23
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 200 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 0.85V
Gate-Schwellenspannung min. = 0.4V
Verlustleistung max. = 417 mW
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = –8 V, +8 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 3,9 nC @ 4,5 V
Betriebstemperatur min. = -55 °C
N-Kanal-MOSFET, bis zu 30 V Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 1,05 A | Drain-Source-Spannung max.: | 20 V | Gehäusegröße: | SOT-23 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 200 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 0.85V | Gate-Schwellenspannung min.: | 0.4V | Verlustleistung max.: | 417 mW | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | –8 V, +8 V | Gate-Ladung typ. @ Vgs: | 3,9 nC @ 4,5 V | Betriebstemperatur min.: | -55 °C |
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| Weitere Suchbegriffe: 509273, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Nexperia, BSH105,215, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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