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| Artikel-Nr.: 3794E-5181435 Herst.-Nr.: PBSS3515VS,115 EAN/GTIN: 5059043421230 |
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![](/p.gif) | Transistor-Typ = PNP DC Kollektorstrom max. = –500 mA Kollektor-Emitter-Spannung = –15 V Gehäusegröße = SSMini Montage-Typ = SMD Verlustleistung max. = 200 mW Gleichstromverstärkung min. = 200 Transistor-Konfiguration = Isoliert Kollektor-Basis-Spannung max. = 15 V Basis-Emitter Spannung max. = 6 V Arbeitsfrequenz max. = 280 MHz Pinanzahl = 6 Anzahl der Elemente pro Chip = 2 Abmessungen = 0.6 x 1.7 x 1.3mm
PNP-Transistoren mit niedriger Sättigung. Eine Serie von bipolaren NXP BISS (Breakthrough In Small Signal) Spannungs-PNP-Junction-Transistoren. Diese Bauelemente bieten sehr niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannungen und hohe Strombelastbarkeit am Kollektor in kompakten, platzsparenden Gehäusen. Die reduzierten Verluste dieser Transistoren führen zu einer verringerten Wärmeentwicklung und einer Steigerung der Gesamteffizienz bei Verwendung in Schalt- und Digitalanwendungen. Weitere Informationen: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Transistor-Typ: | PNP | DC Kollektorstrom max.: | –500 mA | Kollektor-Emitter-Spannung: | –15 V | Gehäusegröße: | SSMini | Montage-Typ: | SMD | Verlustleistung max.: | 200 mW | Gleichstromverstärkung min.: | 200 | Transistor-Konfiguration: | Isoliert | Kollektor-Basis-Spannung max.: | 15 V | Basis-Emitter Spannung max.: | 6 V | Arbeitsfrequenz max.: | 280 MHz | Pinanzahl: | 6 | Anzahl der Elemente pro Chip: | 2 | Abmessungen: | 0.6 x 1.7 x 1.3mm |
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![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: smd-transistor pnp, smd transistor, 5181435, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Bipolare Transistoren, Nexperia, PBSS3515VS,115, Semiconductors, Discrete Semiconductors, Bipolar Transistors |
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