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Nexperia PBSS4240T,215 SMD, NPN Transistor 40 V / 2 A 230 MHz, SOT-23 (TO-236AB) 3-Pin


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Nexperia PBSS4240T,215 SMD, NPN Transistor 40 V / 2 A 230 MHz, SOT-23 (TO-236AB) 3-Pin
Nexperia PBSS4240T,215 SMD, NPN Transistor 40 V / 2 A 230 MHz, SOT-23 (TO-236AB) 3-Pin
Artikel-Nr.:
     3794E-5181564
Hersteller:
     Nexperia
Herst.-Nr.:
     PBSS4240T,215
EAN/GTIN:
     5059043092805
Suchbegriffe:
SMD-Transistor
Schalttransistor
Transistor
smd-transistor npn
Transistor-Typ = NPN
DC Kollektorstrom max. = 2 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 40 V
Gehäusegröße = SOT-23 (TO-236AB)
Montage-Typ = SMD
Verlustleistung max. = 480 mW
Gleichstromverstärkung min. = 350
Transistor-Konfiguration = Einfach
Kollektor-Basis-Spannung max. = 40 V
Basis-Emitter Spannung max. = 5 V
Arbeitsfrequenz max. = 230 MHz
Pinanzahl = 3
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Abmessungen = 1 x 3 x 1.4mm

NPN-Transistoren mit niedriger Sättigungsspannung. Eine Serie von bipolaren NXP BISS (Breakthrough In Small Signal) Spannungs-NPN-Junction-Transistoren. Diese Bauelemente bieten sehr niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannungen und hohe Strombelastbarkeit am Kollektor in kompakten, platzsparenden Gehäusen. Die reduzierten Verluste dieser Transistoren führen zu einer verringerten Wärmeentwicklung und einer Steigerung der Gesamteffizienz bei Verwendung in Schalt- und Digitalanwendungen.
Weitere Informationen:
Transistor-Typ:
NPN
DC Kollektorstrom max.:
2 A
Kollektor-Emitter-Spannung:
40 V
Gehäusegröße:
SOT-23 (TO-236AB)
Montage-Typ:
SMD
Verlustleistung max.:
480 mW
Gleichstromverstärkung min.:
350
Transistor-Konfiguration:
Einfach
Kollektor-Basis-Spannung max.:
40 V
Basis-Emitter Spannung max.:
5 V
Arbeitsfrequenz max.:
230 MHz
Pinanzahl:
3
Anzahl der Elemente pro Chip:
1
Abmessungen:
1 x 3 x 1.4mm
Weitere Suchbegriffe: smd transistor, transistor sot-23, 5181564, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Bipolare Transistoren, Nexperia, PBSS4240T,215, Semiconductors, Discrete Semiconductors, Bipolar Transistors
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