| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Artikel-Nr.: 3794E-5181700 Herst.-Nr.: PBSS4480X,135 EAN/GTIN: 5059043119625 |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Transistor-Typ = NPN DC Kollektorstrom max. = 4 A Kollektor-Emitter-Spannung = 80 V Gehäusegröße = UPAK Montage-Typ = SMD Verlustleistung max. = 2,5 W Gleichstromverstärkung min. = 250 Transistor-Konfiguration = Einfach Kollektor-Basis-Spannung max. = 80 V Basis-Emitter Spannung max. = 5 V Arbeitsfrequenz max. = 150 MHz Pinanzahl = 4 Anzahl der Elemente pro Chip = 1 Abmessungen = 1.6 x 4.6 x 2.6mm
NPN-Transistoren mit niedriger Sättigungsspannung. Eine Serie von bipolaren NXP BISS (Breakthrough In Small Signal) Spannungs-NPN-Junction-Transistoren. Diese Bauelemente bieten sehr niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannungen und hohe Strombelastbarkeit am Kollektor in kompakten, platzsparenden Gehäusen. Die reduzierten Verluste dieser Transistoren führen zu einer verringerten Wärmeentwicklung und einer Steigerung der Gesamteffizienz bei Verwendung in Schalt- und Digitalanwendungen. Weitere Informationen: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Transistor-Typ: | NPN | DC Kollektorstrom max.: | 4 A | Kollektor-Emitter-Spannung: | 80 V | Gehäusegröße: | UPAK | Montage-Typ: | SMD | Verlustleistung max.: | 2,5 W | Gleichstromverstärkung min.: | 250 | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Kollektor-Basis-Spannung max.: | 80 V | Basis-Emitter Spannung max.: | 5 V | Arbeitsfrequenz max.: | 150 MHz | Pinanzahl: | 4 | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Abmessungen: | 1.6 x 4.6 x 2.6mm |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: smd transistor, 5181700, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Bipolare Transistoren, Nexperia, PBSS4480X,135, Semiconductors, Discrete Semiconductors, Bipolar Transistors |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |