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| Artikel-Nr.:
3794E-5181946 Herst.-Nr.:
PBSS5330X,115 EAN/GTIN:
5059043913605 |
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| Transistor-Typ = PNP
DC Kollektorstrom max. = –3 A
Kollektor-Emitter-Spannung = –30 V
Gehäusegröße = UPAK
Montage-Typ = SMD
Verlustleistung max. = 1,6 W
Gleichstromverstärkung min. = 200
Transistor-Konfiguration = Einfach
Kollektor-Basis-Spannung max. = 30 V
Basis-Emitter Spannung max. = 6 V
Arbeitsfrequenz max. = 100 MHz
Pinanzahl = 4
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Betriebstemperatur max. = +150 °C
PNP-Transistoren mit niedriger Sättigung. Eine Serie von bipolaren NXP BISS (Breakthrough In Small Signal) Spannungs-PNP-Junction-Transistoren. Diese Bauelemente bieten sehr niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannungen und hohe Strombelastbarkeit am Kollektor in kompakten, platzsparenden Gehäusen. Die reduzierten Verluste dieser Transistoren führen zu einer verringerten Wärmeentwicklung und einer Steigerung der Gesamteffizienz bei Verwendung in Schalt- und Digitalanwendungen. Weitere Informationen: | | Transistor-Typ: | PNP | DC Kollektorstrom max.: | –3 A | Kollektor-Emitter-Spannung: | –30 V | Gehäusegröße: | UPAK | Montage-Typ: | SMD | Verlustleistung max.: | 1,6 W | Gleichstromverstärkung min.: | 200 | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Kollektor-Basis-Spannung max.: | 30 V | Basis-Emitter Spannung max.: | 6 V | Arbeitsfrequenz max.: | 100 MHz | Pinanzahl: | 4 | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Betriebstemperatur max.: | +150 °C |
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| Weitere Suchbegriffe: smd transistor, 5181946, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Bipolare Transistoren, Nexperia, PBSS5330X,115, Semiconductors, Discrete Semiconductors, Bipolar Transistors |
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