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Vishay IRFR110PBF N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 4,3 A 2,5 W, 3-Pin DPAK (TO-252)


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Vishay IRFR110PBF N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 4,3 A 2,5 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
Artikel-Nr.:
     3794E-5409581
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     IRFR110PBF
EAN/GTIN:
     5059040891081
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Schalttransistor
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 4,3 A
Drain-Source-Spannung max. = 100 V
Gehäusegröße = DPAK (TO-252)
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 540 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 2,5 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 8,3 nC @ 10 V
Betriebstemperatur min. = -55 °C

N-Kanal MOSFET, 100 V bis 150 V, Vishay Semiconductor
Weitere Informationen:
Channel-Typ:
N
Dauer-Drainstrom max.:
4,3 A
Drain-Source-Spannung max.:
100 V
Gehäusegröße:
DPAK (TO-252)
Montage-Typ:
SMD
Pinanzahl:
3
Drain-Source-Widerstand max.:
540 mΩ
Channel-Modus:
Enhancement
Gate-Schwellenspannung min.:
2V
Verlustleistung max.:
2,5 W
Transistor-Konfiguration:
Einfach
Gate-Source Spannung max.:
-20 V, +20 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs:
8,3 nC @ 10 V
Betriebstemperatur min.:
-55 °C
Weitere Suchbegriffe: Transistor, mosfet vishay, smd transistor, mosfet dpak, 5409581, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, IRFR110PBF, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs
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