|  |
| |
| Artikel-Nr.:
3794E-5411146 Herst.-Nr.:
IRFBG30PBF EAN/GTIN:
5059040893276 |
| |
|
| | |
| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 3,1 A
Drain-Source-Spannung max. = 1000 V
Gehäusegröße = TO-220AB
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 5 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 125 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 80 nC @ 10 V
Betriebstemperatur min. = -55 °C
N-Kanal MOSFET, 600 V bis 1000 V, Vishay Semiconductor Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 3,1 A | Drain-Source-Spannung max.: | 1000 V | Gehäusegröße: | TO-220AB | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 5 Ω | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung min.: | 2V | Verlustleistung max.: | 125 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Gate-Ladung typ. @ Vgs: | 80 nC @ 10 V | Betriebstemperatur min.: | -55 °C |
|
| | |
| | | |
| Weitere Suchbegriffe: Transistor, mosfet vishay, leistungs-mosfet, mosfet to-220ab, 5411146, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, IRFBG30PBF, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
| | |
| |