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| Artikel-Nr.: 3794E-5411691 Herst.-Nr.: IRFD120PBF EAN/GTIN: 5059040918962 |
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![](/p.gif) | Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 1,3 A Drain-Source-Spannung max. = 100 V Gehäusegröße = HVMDIP Montage-Typ = THT Pinanzahl = 4 Drain-Source-Widerstand max. = 270 mΩ Channel-Modus = Enhancement Gate-Schwellenspannung min. = 2V Verlustleistung max. = 1,3 W Transistor-Konfiguration = Einfach Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V Gate-Ladung typ. @ Vgs = 16 nC @ 10 V Betriebstemperatur min. = -55 °C
N-Kanal MOSFET, 100 V bis 150 V, Vishay Semiconductor Weitere Informationen: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 1,3 A | Drain-Source-Spannung max.: | 100 V | Gehäusegröße: | HVMDIP | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 4 | Drain-Source-Widerstand max.: | 270 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung min.: | 2V | Verlustleistung max.: | 1,3 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Gate-Ladung typ. @ Vgs: | 16 nC @ 10 V | Betriebstemperatur min.: | -55 °C |
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![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: mosfet 1,3 a, 5411691, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, IRFD120PBF, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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