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| Artikel-Nr.:
3794E-5411714 Herst.-Nr.:
IRF1010EPBF EAN/GTIN:
5059045910411 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 84 A
Drain-Source-Spannung max. = 60 V
Serie = HEXFET
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 12 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 200 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Transistor-Werkstoff = Si
Höhe = 8.77mm
N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 60 V bis 80 V, Infineon. Die diskreten HEXFET® Leistungs-MOSFETs von Infineon umfasst N-Kanal-Geräte für Gehäuse für die Oberflächenmontage und mit Anschlussdrähten. Und Formfaktoren für fast jedes Platinenlayout und thermische Designherausforderung. Der über die gesamte Serie hinweg gesenkte Widerstand führt zu verringerten Leitungsverlusten, wodurch Entwickler einen optimalen Systemwirkungsgrad erzielen können. Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 84 A | Drain-Source-Spannung max.: | 60 V | Serie: | HEXFET | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 12 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 4V | Gate-Schwellenspannung min.: | 2V | Verlustleistung max.: | 200 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Transistor-Werkstoff: | Si | Höhe: | 8.77mm |
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| Weitere Suchbegriffe: leistungs-mosfet, 5411714, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IRF1010EPBF, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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