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| Artikel-Nr.: 3794E-6012116 Herst.-Nr.: 2SK3669(Q) EAN/GTIN: 5059041950152 |
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![](/p.gif) | Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 10 A Drain-Source-Spannung max. = 100 V Gehäusegröße = PW Form Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 125 mΩ Channel-Modus = Enhancement Gate-Schwellenspannung max. = 5V Verlustleistung max. = 20000 mW Transistor-Konfiguration = Einfach Gate-Source Spannung max. = ±20 V Gate-Ladung typ. @ Vgs = 8 nC @ 10 V Höhe = 2.3mm
MOSFET N-Kanal, Serie 2SK, Toshiba Weitere Informationen: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 10 A | Drain-Source-Spannung max.: | 100 V | Gehäusegröße: | PW Form | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 125 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 5V | Verlustleistung max.: | 20000 mW | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | ±20 V | Gate-Ladung typ. @ Vgs: | 8 nC @ 10 V | Höhe: | 2.3mm |
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![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: mosfet 10a, 6012116, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Toshiba, 2SK3669(Q), Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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