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| Artikel-Nr.:
3794E-6012116 Herst.-Nr.:
2SK3669(Q) EAN/GTIN:
5059041950152 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 10 A
Drain-Source-Spannung max. = 100 V
Gehäusegröße = PW Form
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 125 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 5V
Verlustleistung max. = 20000 mW
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = ±20 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 8 nC @ 10 V
Höhe = 2.3mm
MOSFET N-Kanal, Serie 2SK, Toshiba Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 10 A | Drain-Source-Spannung max.: | 100 V | Gehäusegröße: | PW Form | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 125 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 5V | Verlustleistung max.: | 20000 mW | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | ±20 V | Gate-Ladung typ. @ Vgs: | 8 nC @ 10 V | Höhe: | 2.3mm |
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| Weitere Suchbegriffe: mosfet 10a, 6012116, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Toshiba, 2SK3669(Q), Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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