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| Artikel-Nr.:
3794E-6697603 Herst.-Nr.:
ZVN2110ASTZ EAN/GTIN:
5059043959191 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 320 mA
Drain-Source-Spannung max. = 100 V
Gehäusegröße = E-Line
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 4 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 2.4V
Verlustleistung max. = 700 mW
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Betriebstemperatur min. = –55 °C
N-Kanal-MOSFET, 100 V bis 950 V, Diodes Inc. Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 320 mA | Drain-Source-Spannung max.: | 100 V | Gehäusegröße: | E-Line | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 4 Ω | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 2.4V | Verlustleistung max.: | 700 mW | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Betriebstemperatur min.: | –55 °C |
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| Weitere Suchbegriffe: 6697603, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, DiodesZetex, ZVN2110ASTZ, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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