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| Artikel-Nr.: 3794E-6710429 Herst.-Nr.: FDN337N EAN/GTIN: 5059042842074 |
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![](/p.gif) | Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 2,2 A Drain-Source-Spannung max. = 30 V Gehäusegröße = SOT-23 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 65 mΩ Channel-Modus = Enhancement Gate-Schwellenspannung max. = 1V Gate-Schwellenspannung min. = 0.4V Verlustleistung max. = 500 mW Transistor-Konfiguration = Einfach Gate-Source Spannung max. = –8 V, +8 V Gate-Ladung typ. @ Vgs = 7 nC @ 4,5 V Betriebstemperatur min. = -55 °C
N-Kanal-MOSFET, Anreicherungstyp, Fairchild Semiconductor. Feldeffekttransistoren im Erweiterungsmodus (FET) werden mit der proprietären DMOS-Technologie von Fairchild mit hoher Zelldichte hergestellt. Dieser hohe Verdichtungsprozess wurde für eine Minimierung des Durchlasswiderstands und die Bereitstellung robuster und zuverlässiger Leistung sowie schneller Schaltvorgänge konzipiert. Weitere Informationen: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 2,2 A | Drain-Source-Spannung max.: | 30 V | Gehäusegröße: | SOT-23 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 65 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 1V | Gate-Schwellenspannung min.: | 0.4V | Verlustleistung max.: | 500 mW | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | –8 V, +8 V | Gate-Ladung typ. @ Vgs: | 7 nC @ 4,5 V | Betriebstemperatur min.: | -55 °C |
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![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: on semiconductor mosfet, 6710429, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, onsemi, FDN337N, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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