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| Artikel-Nr.:
3794E-6711065 Herst.-Nr.:
FQT4N20LTF EAN/GTIN:
5059042842623 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 850 mA
Drain-Source-Spannung max. = 200 V
Gehäusegröße = SOT-223
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 1,35 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 1V
Verlustleistung max. = 2,2 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Länge = 6.5mm
Serie = QFET
N-Kanal-MOSFET QFET®, bis zu 5,9 A, Fairchild Semiconductor. Die neuen planaren QFET®-MOSFETs von Fairchild Semiconductor verwenden fortschrittliche, proprietäre Technologie für erstklassige Leistung in einer Vielzahl von Anwendungen, z. B. Netzteile, PFC (Leistungsfaktorkorrektur), DC/DC-Wandler, Plasmabildschirme (PDP), Lampenstarter und Bewegungssteuerung. Sie bieten einen geringeren Durchlassverlust durch Senkung des Widerstands (RDS(ein)) sowie einen geringeren Schaltverlust durch Absenken der Gate-Ladung (QG) und der Ausgangskapazität (Coss). Durch die fortschrittliche QFET®-Prozesstechnologie kann Fairchild im Vergleich zu konkurrierenden planaren MOSFET-Geräten eine bessere Leistungszahl bieten. Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 850 mA | Drain-Source-Spannung max.: | 200 V | Gehäusegröße: | SOT-223 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 1,35 Ω | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung min.: | 1V | Verlustleistung max.: | 2,2 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Länge: | 6.5mm | Serie: | QFET |
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| Weitere Suchbegriffe: Transistor, on semiconductor mosfet, smd transistor, mosfet sot-223, 6711065, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, onsemi, FQT4N20LTF, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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