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onsemi QFET FQP13N10 N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 12,8 A 65 W, 3-Pin TO-220AB
Menge:
Stück
Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
3794E-6715023
Hersteller:
onsemi
Herst.-Nr.:
FQP13N10
EAN/GTIN:
5059042845877
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
on semiconductor mosfet
mosfet
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 12,8 A
Drain-Source-Spannung max. = 100 V
Serie = QFET
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 180 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 65 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = –25 V, +25 V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Betriebstemperatur min. = -55 °C
N-Kanal-MOSFET QFET®, 11 A bis 30 A, Fairchild Semiconductor. Die neuen planaren QFET®-MOSFETs von Fairchild Semiconductor verwenden fortschrittliche, proprietäre Technologie für erstklassige Leistung in einer Vielzahl von Anwendungen, z. B. Netzteile, PFC (Leistungsfaktorkorrektur), DC/DC-Wandler, Plasmabildschirme (PDP), Lampenstarter und Bewegungssteuerung. Sie bieten einen geringeren Durchlassverlust durch Senkung des Widerstands (RDS(ein)) sowie einen geringeren Schaltverlust durch Absenken der Gate-Ladung (QG) und der Ausgangskapazität (Coss). Durch die fortschrittliche QFET®-Prozesstechnologie kann Fairchild im Vergleich zu konkurrierenden planaren MOSFET-Geräten eine bessere Leistungszahl bieten.
Weitere Informationen:
Channel-Typ:
N
Dauer-Drainstrom max.:
12,8 A
Drain-Source-Spannung max.:
100 V
Serie:
QFET
Montage-Typ:
THT
Pinanzahl:
3
Drain-Source-Widerstand max.:
180 mΩ
Channel-Modus:
Enhancement
Gate-Schwellenspannung min.:
2V
Verlustleistung max.:
65 W
Transistor-Konfiguration:
Einfach
Gate-Source Spannung max.:
–25 V, +25 V
Anzahl der Elemente pro Chip:
1
Betriebstemperatur min.:
-55 °C
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Mosfet
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