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| Artikel-Nr.: 3794E-6881518 Herst.-Nr.: MJD50T4G EAN/GTIN: 5059042992106 |
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![](/p.gif) | Transistor-Typ = NPN DC Kollektorstrom max. = 1 A Kollektor-Emitter-Spannung = 400 V Gehäusegröße = DPAK (TO-252) Montage-Typ = SMD Verlustleistung max. = 1,56 W Gleichstromverstärkung min. = 30 Transistor-Konfiguration = Einfach Kollektor-Basis-Spannung max. = 500 V Basis-Emitter Spannung max. = 5 V Arbeitsfrequenz max. = 10 MHz Pinanzahl = 3 Anzahl der Elemente pro Chip = 1 Betriebstemperatur max. = +150 °C
Hersteller-Teilenummern mit S als Präfix sind gemäß der Norm AEC-Q101 für die Automobilindustrie zugelassen. Weitere Informationen: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Transistor-Typ: | NPN | DC Kollektorstrom max.: | 1 A | Kollektor-Emitter-Spannung: | 400 V | Gehäusegröße: | DPAK (TO-252) | Montage-Typ: | SMD | Verlustleistung max.: | 1,56 W | Gleichstromverstärkung min.: | 30 | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Kollektor-Basis-Spannung max.: | 500 V | Basis-Emitter Spannung max.: | 5 V | Arbeitsfrequenz max.: | 10 MHz | Pinanzahl: | 3 | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Betriebstemperatur max.: | +150 °C |
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![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: smd transistor, onsemi transistor, 6881518, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Bipolare Transistoren, onsemi, MJD50T4G, Semiconductors, Discrete Semiconductors, Bipolar Transistors |
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